EGS002 adalah modul driver inverter gelombang sinus murni yang menggunakan chip EG8010 sebagai kontrol utama, dan IC IR2110 sebagai driver MOSFET/IGBT. Modul ini dirancang untuk menghasilkan output gelombang sinus murni, yang cocok digunakan pada aplikasi inverter daya, seperti pembangkit listrik tenaga surya, daya cadangan UPS, atau inverter kendaraan. Modul ini menyediakan pengaturan frekuensi dan proteksi over-voltage, under-voltage, over-temperature, dan short-circuit.
Spesifikasi:
- Chip Utama: EG8010, pengontrol PWM gelombang sinus murni dengan frekuensi output hingga 50/60 Hz.
- Driver: IR2110, driver MOSFET/IGBT untuk penggerak tegangan tinggi dan rendah.
- Frekuensi Output: Dapat diatur ke 50 Hz atau 60 Hz.
- Tegangan Input: 12V atau 24V untuk bagian kontrol.
- Proteksi: Proteksi tegangan berlebih, tegangan rendah, suhu berlebih, dan arus pendek.
- Tipe Output: Gelombang sinus murni, yang ideal untuk perangkat sensitif.
Pemrograman (Jika Ada): Modul ini tidak memerlukan pemrograman karena sudah menggunakan firmware internal pada chip EG8010. Namun, pengguna dapat menyesuaikan frekuensi output dan tegangan batas proteksi dengan komponen eksternal seperti resistor atau sakelar yang terhubung ke pin konfigurasi.
Langkah Penggunaan:
-
Persiapan Daya:
- Hubungkan daya kontrol ke modul (biasanya 12V atau 24V tergantung pada kebutuhan).
- Pastikan sumber daya input sesuai dengan tegangan operasi MOSFET/IGBT.
-
Koneksi dengan MOSFET/IGBT:
- Hubungkan modul EGS002 ke MOSFET/IGBT yang digunakan untuk menggerakkan beban AC.
- Pastikan koneksi antara driver IR2110 dan MOSFET/IGBT sudah benar untuk pengaturan high-side dan low-side.
-
Pengaturan Frekuensi dan Proteksi:
- Sesuaikan sakelar atau resistor eksternal untuk mengatur frekuensi output (50/60 Hz).
- Konfigurasikan proteksi sesuai dengan spesifikasi sistem yang diinginkan.
-
Uji Output:
- Setelah instalasi selesai, nyalakan sistem dan uji output untuk memastikan gelombang sinus murni dihasilkan sesuai dengan spesifikasi.
Cara Perawatan:
- Periksa koneksi secara berkala untuk memastikan tidak ada kabel yang longgar atau rusak.
- Jauhkan dari lingkungan yang terlalu panas atau lembab untuk mencegah kerusakan komponen.
- Gunakan pendingin tambahan atau heatsink pada MOSFET/IGBT jika digunakan untuk beban tinggi untuk mencegah overheating.
- Hindari lonjakan arus yang tiba-tiba, karena meskipun modul memiliki proteksi, arus berlebih dapat merusak MOSFET/IGBT.