Description
Deskripsi Produk
IRFP460N merupakan Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) kanal-N berkinerja tinggi yang dirancang untuk aplikasi switching daya besar. Transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian power supply, inverter, amplifier daya, dan sistem kontrol motor yang memerlukan efisiensi tinggi dan switching cepat pada tegangan dan arus yang signifikan.
Dengan rating tegangan drain-source (VDS) maksimal 200V dan kemampuan arus drain (ID) hingga 30A, komponen ini menawarkan kombinasi optimal antara kapasitas daya dan perlindungan termal. Paket TO-247 memudahkan pemasangan pada heatsink dan memberikan koneksi yang stabil untuk aplikasi industri. Karakteristik switching yang cepat dan resistansi on-state yang rendah menjadikan IRFP460N pilihan efektif untuk mengurangi dissipasi panas dan meningkatkan efisiensi rangkaian secara keseluruhan.
Spesifikasi Teknis
- Jenis: N-Channel MOSFET
- Tegangan Drain-Source Maksimal (VDS): 200V
- Arus Drain Kontinu (ID): 30A
- Paket: TO-247
- Aplikasi: Power switching, power supply, inverter, kontrol motor
Catatan Tambahan
Pastikan heatsink yang sesuai digunakan untuk mengelola panas yang dihasilkan, terutama pada aplikasi beban tinggi berkelanjutan. Perhatikan polaritas pin saat pemasangan dan pastikan driver gate memiliki tegangan gate minimum yang sesuai untuk aktivasi optimal. Untuk hasil terbaik, konsultasikan datasheet resmi produk sebelum implementasi pada rangkaian Anda.
Reviews
There are no reviews yet.