Description
Deskripsi Produk
MOSFET IRF640 N-Channel adalah transistor efek medan (Field Effect Transistor) tipe N-Channel yang dirancang khusus untuk aplikasi switching dan amplifikasi daya tinggi. Komponen ini banyak digunakan dalam berbagai rangkaian elektronik industri maupun hobby, mulai dari power supply, inverter, driver motor DC, hingga sistem kontrol beban listrik.
Komponen ini menghadirkan karakteristik switching yang cepat dengan gate threshold voltage rendah, memungkinkan kontrol yang responsif dari sumber tegangan logika standar. Hambatan channel on-state yang kecil menjamin efisiensi tinggi dan disipasi panas minimal selama operasi. Dengan kemampuan menangani arus drain yang besar dan tegangan drain-source yang tinggi, MOSFET ini mampu bekerja optimal dalam aplikasi power switching yang demanding.
Spesifikasi Teknis
- Jenis: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- Tegangan Drain-Source Maksimal (Vdss): 200V
- Arus Drain Maksimal (Id): 18A @ Tc=25°C
- Disipasi Daya (Pd): 125W @ Tc=25°C
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2-4V
- Hambatan On-State (Rds(on)): ≤ 0.15Ω @ Vgs=10V
- Kapasitas Gate (Ciss): ~1700pF
- Package: TO-220AB
Catatan Tambahan
Pastikan untuk menyediakan heatsink yang memadai jika menggunakan komponen ini pada arus tinggi atau duty cycle panjang untuk memastikan suhu operasi tetap dalam batas aman. Perhatikan juga polaritas pin saat pemasangan (Gate, Drain, Source) sesuai dengan datasheet resmi untuk menghindari kerusakan. Komponen ini sensitif terhadap muatan statis, gunakan perlindungan ESD saat penanganan.
Reviews
There are no reviews yet.